缓冲层相关论文
研究了作为高放废物深地质处置库最后一道人工屏障——缓冲层在热湿力耦合作用下的宏观表现,通过自行设计的热湿力耦合实验装置,在......
近年来波纹铝护套结构高压电缆中出现的缓冲层烧蚀缺陷造成巨额经济损失和不良社会影响，然而该缺陷产生及发展机理尚不明确，检测技术......
随着电子元器件向集成化、高频化、小型化的发展,厚膜电阻器件在众多领域逐渐被薄膜电阻器件所取代。钽氮化物（TaNx）因其优秀的物理......
制备了结构为ITO/Pentacene/C60/Al的双层光伏电池器件,在C60/Al界面插入了常用的缓冲层材料bathocuproine（BCP）作为阴极缓冲层,通过......
对一起110 kV电缆绝缘屏蔽层灼伤的缺陷情况进行了分析，通过对电缆本体抽样解剖检查，排除了由于潮气进入到金属护层中导致缓冲层烧蚀......
文章主要论述缓冲层对头盔吸收碰撞效果的影响，对不同发泡密度EPS缓冲材料、EPP缓冲材料所制作的头盔吸收碰撞能量效果进行试验与验......
近年来，高压电缆中的电化学腐蚀诱发了多起本体击穿故障，造成了重大的经济损失。这种故障的特点是击穿的电缆中的缓冲层上有明显的白......
基于无机固体电解质的固态电池具有高安全性、高能量密度、可设计性强等特点,是最有潜力的下一代电池系统之一。无机固态电池的核......
当高压XLPE电缆出现缓冲层放电烧蚀缺陷后,在缺陷位置会出现烧蚀痕迹,严重时会发生电缆线路的击穿事故,这将严重影响到电力系统的......
近年来高压电缆阻水缓冲层事故频发，已严重威胁到输电系统的安全性。本文对目前国内外缓冲层失效的相关研究现状进行综述，并提出可能......
钨酸钆钾KGd（WO4）2（简称KGW）作为一种性能优异的基质材料,在激光器件、通讯、医学检测等领域被广泛研究与应用。同晶体材料对比,薄膜材......
利用电子束蒸发法在Si衬底上制备了不同厚度的SnO2缓冲层,并使用磁控溅射法制备出上层氧化钒薄膜,研究了 SnO2缓冲层厚度对于氧化......
第一代半导体材料（硅）和第二代半导体材料（砷化镓GaAs,磷化铟InP）由于禁带宽度较窄,已经不能适应半导体技术发展的要求。氧化锌（ZnO）和氮......
数字X射线成像方法可以实现对电力电缆耐张线夹无损检测,获得清晰直观的X射线数字图像.通过X射线的无损检测技术能够检验出电缆线......
纳米机械传感器因其灵敏度高、体积小等优点,在生物、化学传感器的应用中得到了广泛的研究。微悬臂梁光波导传感器作为一种新兴纳......
渗漏水被建筑业界称为隧道工程的第一大顽疾,“十隧九漏”的说法在隧道养护人员中广为流传,渗漏水堪称隧道工程质量的“大蛀虫”.......
PCBM 被广泛用于平面n-i-p 型钙钛矿太阳能电池中的电子传输层和钙钛矿层间的界面修饰。但是PCBM 差的润湿性影响钙钛矿涂覆和结晶......
Zn1-xMgxO透过率高、带隙可调，且与 CIGS太阳电池在晶格和能带结构上匹配良好，可用作CIGS 太阳电池缓冲层、窗口层，因此制备高质量的Z......
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN, 并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所......
采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术，在InP (100)衬底上生长In0.82Ga0.18As，研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、......
该文介绍一种用于光纤陀螺信号处理的集成光学器件的研制工作.这是一种工作波长为1.3μm，集分束器、相位调制器和偏振器为一体，采用......
为解决瓦日(瓦塘—日照)铁路南吕梁山隧道衬砌开裂问题,拟在置换衬砌时在初期支护与二次衬砌之间施作隧道缓冲结构。提出使用聚乙......
选用不同厚度的Nb、Ta两种难熔金属作为金属与陶瓷钎焊接头中的缓冲层材料。实验发现两种缓冲层材料在减小接头残余应力时.都存在......
一、原料的选择包布层足V型传动带的主要部件。它联接压缩层、缓冲层、伸长层、强力层使之成为统一整体,并保护各部件免受磨损和......
在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使阈值电流大幅度降低，光功率成倍增长。所研制出的量子阱激光器室温脉冲平......
提出求解有缓冲层的多层金属包层介质光波导的一个准解析方法，它应用渐近开展理论将传播常数展开成一个小参数的级数，这一方法本身是......
Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积......
将均质多层膜系设计中的缓冲层概念引入到反射导模共振滤光片的设计中,以研究缓冲层的增加对导模共振滤光片反射光谱特性的影响。......
以典型蓝色发光材料—联苯乙烯衍生物(4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl,DPVBi)为发光层,采用MoO3为阳极缓冲层制备......
通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过......
脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,......
介绍了彩色CCD的器件结构和成像原理,采用彩色光刻胶光刻法实现了彩色滤光片的制备,并通过分析彩色滤光片缓冲层、滤光片厚度和固......
通过在有机发光二极管(OLED)的阳极与空穴传输层NPB之间加入m-MTDATA作为缓冲层来研究缓冲层对器件性能的影响。制备了ITO/m-MTDAT......
Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长......
通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS~+)元胞......
通过模拟的方法,研究了n型4H-SiC材料中Al离子注入深度、浓度分布与注入角度、缓冲层厚度、注入能量和剂量的关系。通过不同能量和......
在聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)还原分散的石墨烯(RGO-PVP)的表面上原位均匀生长氧化锌(ZnO)纳米颗粒制备ZnO/RGO-PVP 纳米复合材料......
爆炸焊制备的复合板作为当前工业生产的重要材料,对工业生产至关重要。控制工艺参数是提高复合板焊接质量的重要方法。爆炸焊工艺......
膨润土因其优良的高膨胀性、低渗透性等特性常被用作高放核废料处置库的缓冲/回填材料。膨润土吸水膨胀,挤入周围岩体裂隙中并继续......
二氧化钒(VO_2)薄膜因为具有明显的金属绝缘转变(MIT)特性而在智能窗和红外探测等设备中具有广阔的应用前景。目前虽在单晶衬底能......
光电化学分解水可进一步实现太阳能到氢能的转化,是太阳能转换存储的理想途径之一。半导体可以同时作为光吸收器和能量转换器,是太......
殉爆是不敏感弹药安全评估试验之一,引信作为武器弹药的重要组成部分,必然要满足不敏感弹药的要求,这就要求引信必须满足殉爆试验......
SiC薄膜是一种物理、化学性能优良的功能材料,具有良好的热传导率、高硬度以及化学稳定性好等优点,被广泛的应用于核防护、微电子......
